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晶閘管可控硅芯片短路環(huán)邊緣出現(xiàn)擊穿、燒毀點(diǎn)的原因
   將擊穿的晶閘管可控硅塑封環(huán)氧樹(shù)脂去除后,顯微鏡檢查發(fā)現(xiàn)短路環(huán)邊緣處出現(xiàn)擊穿、燒毀點(diǎn)。(如下圖

此現(xiàn)象通常可以判斷為di/dt導(dǎo)致的擊穿燒毀。
門(mén)極短路環(huán)處電流擊穿原因:
1 受外界脈沖干擾,或當(dāng)外加IG太小,達(dá)不到元件的觸發(fā)電流時(shí)。此時(shí)由于晶體管效應(yīng),門(mén)極區(qū)的耐壓急劇下降,從而在這個(gè)區(qū)域被擊穿。
2 必須排除主回路di/dt大高,如容性負(fù)載或負(fù)載短路等情況下,也會(huì)出現(xiàn)門(mén)極燒毀現(xiàn)象。