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可控硅損壞原因如何判別？
1、電壓擊穿。晶閘管因不能承受電壓而損壞，其芯片中有一個光潔的小孔，損壞的面積小，有時需用擴大鏡才能看見。其原因可能是管子本身耐壓下降或被電路斷開時產生的高電壓擊穿。如圖
2、電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個凹坑，且粗糙，損壞的面積大，其位置在遠離控制極上。

3 電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞相同，而其位置在控制極附近或就在控制極上。
4、 邊緣損壞。他發生在芯片外圓倒角處，有細小光潔小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細細金屬物劃痕。這是制造廠家安裝不慎所造成的。它導致電壓擊穿。
5、G-K 電壓擊穿。晶閘管 G-K 間因不能承受反向電壓（）12V）而損壞，其芯片 G-K 間有燒焦的通路（短路痕跡）。